全新的8Mb FRAM内存，容量翻番，并支撑并行接口，读写寿数第一次做到了100万亿次！

  FRAM便是铁电存储器，一种随机存取存储器，具有SRAM、DRAM等级的读取速度和寿数，并且对错易失性的，断电不丢掉数据。

  它的缺陷是容量密度做不大，因而不可能完全替代DRAM、SRAM，但在一些对容量没有过高要求、对寿数/速度灵敏的场景和设备上十分适宜，尤其是高速工业场景。

  其实，铁电存储技能不是新鲜玩意儿，1921年就有了这一概念。尽管直到1993年才由美国RAmtron公司开宣布第一个4Kb FRAM产品，但近些年来已得到了广泛应用。

  富士通最新的MB85R8M2TA FRAM具有兼容SRAM的并行接口，供电电压规模1.8-3.6V，具有超长读写寿数的一起，比以往产品拜访加载速度快了约30％，快页模式下拜访加载速度仅25ns，继续传输率比美SRAM。

  一起功耗也更低，最大写入电流只需18mA(毫安)，最大待机电流更是150uA(微安)，别离降低了10％、50％，

  它采用了44针的TSOP封装，和上代4Mb FRAM相同坚持兼容，还新增了48针的FBGA封装。